為了突破傳統存儲的瓶頸,新型非易失性存儲技術正在崛起,包括MRAM(磁阻隨機存取存儲器)、ReRAM(阻變隨機存取存儲器)和PCM(相變存儲器)。
EM6KA32H LPDDR2 SDRAM是一款高速CMOS動態隨機存取存儲器,總容量達268,435,456位。它采用雙倍數據速率架構,數據傳輸效率大幅提升。
傳統的存儲解決方案往往依賴超級電容器或電池來實現掉電保護,這不僅增加了系統復雜性和成本,還可能引入可靠性隱患。Everspin的STT-MRAM設備徹底改變了這一局面。通過利用自旋轉移扭矩技