Pseudo  SRAM簡稱為PSRAM，從在技術層面來說就是用用 DRAM 來偽裝 SRAM， 所以才稱之為 Pseudo（偽），那為什么要用偽裝呢，這就跟近年來手持式應用設計的興起有關了。
在舊式的嵌入式設計上，存儲部分大部分是使用SRAM存儲器，隨著電子設備的發展，電子設備的內部存儲容量需求大幅增大，這時就難以使用 SRAM 來實現大容量 的內存系統，而必須使用 DRAM，DRAM 每個位的記憶電路是以 1 個晶體管與 1 個電容所 構成，相對于 SRAM 每個位需要 4∼6 個晶體管才能構成，DRAM 擁有比 SRAM 高 4∼6 倍的 記憶密度。
 
雖然 DRAM 在記憶密度、電路成本、耗電上等方面比 SRAM優秀，但是 DRAM 也有不比不上 SRAM 的地方，當然從耗電上，SRAM  是以持續供電的方式來記憶數據是要比
DRAM  實行刷新（Refresh）方式來持留住記憶內容耗電，但是SRAM的記憶數據的存取速度是比DRAM的快的。
 
DRAM也因刷新電路、存取電路等設計，導致系統接口的線路比較多，沒有SRAM
接口設計來的單純、直覺，對電子工程師來說，除非真有 SRAM 無法滿足 的大容量、低耗電等設計要求，否則都盡可能使用 SRAM，因為 SRAM 的電路設計比 DRAM 簡潔、容易。
也正因如此，SRAM跟DRAM在特性設計上是完全相反的，所以在多年來的應用上也是不盡相同，SRAM 多用在少數容量的高速存取應用上，例如高速處理器的高速緩存、高速網絡設備（如：路由 器、交換機）的內存等。而 DRAM 就用在大量記憶需求的應用上，如激光打印機、高清晰 數字電視等。
 
然而在手持式的應用設計上，卻偏偏需要這兩種的特性，既需要DRAM的低耗電（需要用到電池供電）也需要SRAM簡潔電路設計特性（可以最大極限的減少印刷線路板的面積），而在使用接口上也就一兩個芯片左右，只能擇一而用而不能同時使用SRAM跟DRAM.
 
如果只能選擇一種使用，最后權衡取舍的結果是使用DRAM，但需要將DRAM的存儲接口進行簡化，就是將刷新電路改為自行刷新（self-refresh）,進而簡化兼容接口，類似SRAM原有接口，就這樣形成了PSRAM。
 
PSRAM 標準各家有各家的標準技術
 
PSRAM 的定義是修改 DRAM 原先的存取接口設計，使其接口可以兼容于原SRAM 的存取接 口，且在存取的時序等其它特性上也相似。由于沒有統一的標準意識，各業者依然組成了聯 盟陣營，訂立出自己依循的 PSRAM 規范及標準。
 
舉例來說，由美國賽普拉斯（Cypress）、日本 Renesas（瑞薩）、韓國JSC、臺灣 Etron（鈺創）、美國鎂光（Micron）、南韓 Hynix（海力士）、臺灣京典硅旺（Enable）、南韓 Silicon 7、德國 Infineon（英飛 凌）以及臺灣華邦電子（Winbond）等所組成的 CellularRAM 聯盟，共同制 訂 CellularRAM 的標準，目前已有 1.0 版、1.5 版標準的規范。
 
CellularRAM 并非是唯一的 PSRAM 標準聯盟，日本富士通（Fujitsu）、恩益禧（NEC）、日 本東芝（Toshiba）等 3 家日系半導體業者也合組了 CosmoRAM 聯盟，CosmoRAM 的全稱 為「Common Specifications for Mobile RAM」，新版標準為 Rev 4 版。
 
營銷稱呼混淆技術分別
 
PSRAM 除了有聯盟陣營的標準不同差異之外，還有另外一個是對PSRAM的名稱各異，也是困擾現有電子工程師的一個問題，例如 MoSys 公司的獨家硅智財技術：1T-SRAM 就常被人以為是 PSRAM，但其實兩 者有所不同，然確實 PSRAM 有時也被稱為 1T SRAM。
或者南韓的 Silicon 7 公司將 PSRAM 稱為 CCSRAM（pacCtoCmell SRAM     ）來推行，或如南 韓三星將 PSRAM 稱為 UtRAM 等等，此外 PSRAM 也容易與 Mobile-RAM、Mobile SRAM、 Mobile SDRAM 等相近 稱呼相混淆 。另外 CellularRAM 陣 營的業者有 時也直接以 CellularRAM 來稱呼 PSRAM。
 
留心 PSRAM 業務的轉移、改變
 
附帶一提的，由于 PSRAM 的技術與價格競爭激烈，有些業者已紛紛退出這塊市場，例如日 本瑞薩（Renesas）就已經退出，并退出 CellularRAM 聯盟，美國柏士半導體/賽普拉斯半導 體（ Cypress ）也將 PSRAM 部門轉 售給臺灣晶 豪科技（ Elite Semiconductor Memory Technology；ESMT），同時也與 Renesas 一樣退出 CellularRAM 聯盟，但接手的 ESMT 并沒 有新增成為該聯盟的新會員。
 
另外德國憶恒/英飛凌（Infineon）將內存部門分立成奇夢達（Qimonda）后，也承接了原有 在 CellularRAM 聯盟中的會員身份，此外南韓海力士（Hynix）似乎也停止 PSRAM 的后續 發展。此外日本東芝（Toshiba）委由臺灣華邦電子（Winbond）代產 PSRAM，以及歐洲意 法半導體（STMicroelectronics；ST）也將 PSRAM 委交臺灣茂德（ProMOS）代產，未來歐、 美、日、韓的 PSRAM 業務都可能轉至臺灣，一方面過去臺灣專長于 SRAM，但 PSRAM 的 出現將擠壓原有 SRAM 的市場，為了保有原有的市場必然要跨入 PSRAM。這些產業消長變 遷信息，也是電子采購與工程設計人員所必須注意的。
 
 
品牌：美國賽普拉斯（Cypress）
型號：CYK512K16SCCA
特性：
◆先進的低功耗 MoBL（More Battery Life）架構。
◆高速運作性：55nS、70nS（奈秒）。
◆寬裕的運作電壓范疇：2.7∼3.3V。
◆運作中的耗用電流（典型值）：2mA（工作頻率為 1MHz 時）。
◆運作中的耗用電流（典型值）：11mA（工作頻率為最高頻率時）。
◆待備（Stand-by）時低功耗。
◆芯片未被選擇到時自動進入低功耗（Power-Down）狀態。
◆適合手機之類的手持式應用。 德國奇夢達（Qimonda）－HYE18P128160AF-12.5
◆1.8V 的核心電壓與 I/O 電壓。
◆合乎 CellularRAM 1.0、1.5 規范的標準。
◆針對無線應用而設計。
◆可用「異步/分頁模式」或「同步爆發」模式運作。
◆異步工作時的存取間隔為 70nS/85nS。
◆同步爆發（Sync burst）模式運作時可達 66MHz/80MHz/104MHz。
◆免刷新（Refresh）的運作。
◆直接在芯片上設置溫度傳感器。
 
 
 
品牌：美國美光（Micron）
型號：MT45W8MW16BGX
特性：
◆合乎 CellularRAM 1.5 規范的標準
◆支持異步、分頁、以及爆發等模式的運作
◆隨機存取時間：70nS
◆合乎歐洲 RoHS 規范與大陸 RoHS 規范
◆核心電壓工作范疇：1.7V∼1.95V
◆I/O 電壓工作范疇：1.7V∼3.3V
◆適合的應用：醫療、商業與產業、車用、安全、行動、掃描儀
◆適合的應用：導航定位、測試與量測、消費性手持式裝置、電信
 
品牌：臺灣鈺創（Etron）
型號：EM567168BC
 特性;
◆記憶組織：2M x16。
◆快速的周期時間：55nS、70nS。
◆待備（Stand-by）狀態下的用電：100uA。
◆深度低功耗（Deep Power-Down）下的用電：10uA（數據不可存取）。
◆數據存取寬度的控制：LB#（DQ0∼7）、UB#（DQ8∼15）。
◆相容于低功耗的 SRAM（Low Power SRAM）。
◆單一的供電電壓：3.0V 正負 0.3V。
◆封裝型態：48 個接腳，FBGA 封裝，6x8mm 尺寸。
 
品牌：韓國JSC
型號：EM7164SU16
特性：
◆記憶組織：1M x16。
◆工作電壓范疇：2.7V∼3.3V。
◆分立的 I/O 供電（VccQ）與核心供電（Vcc）。
◆三態輸出（高、低、浮接）。
◆透過#UB 接腳、#LB 接腳可控制字節（Byte）的讀寫。
◆運用#ZZ 接腳可支持直接深度低功耗（Direct Power Down）控制。
◆自動化的 TCSR 可節省用電。
◆芯片封裝方式：48 個接腳，FPBGA 封裝，6.0x7.0 尺寸。
 
 
品牌：南韓海力士（Hynix）
型號;HY64UD16322M
特性:
◆記憶組織：2M x16。
◆CMOS 制程技術。
◆邏輯準位兼容于 TTL，并具備三態（Tri-State）輸出。
◆深度低功耗（Deep Power-Down）模式。
◆標準的接腳組態配置：48 個接腳，FBGA 封裝。
◆透過/LB、/UB 接腳可行使數據屏蔽（Data Mask）功效。
◆工作電壓范疇：2.7V∼3.3V。
◆工作溫度范疇：攝氏-25∼85 或-40∼85 度。 南韓 Silicon 7－SV6P3215UFB
◆標準的異步 SRAM 接口。
◆已歷驗證的 Silicon CompactCell SRAM 可用于高密度、低功耗與成本取向的應用。
◆記憶組織：2M x16。
◆工作電壓范疇：2.7V∼3.3V。
◆封裝方式：48 個接腳，FPGA 封裝。
◆邏輯準位兼容于 TTL，并具備三態（Tri-State）輸出。
◆適合的應用：手機、PDA、以及其它用電池運用的消費性產品。
◆運作上可選擇正常（Normal）模式或雙 CS（Dual CS）模式。
 
 
品牌：南韓三星半導體（Samsung）
型號：K1S56161CM
特性：
◆使用 CMOS 制程技術。
◆記憶組織：16M x16。
◆內部的 TCSR。
◆工作電壓范疇：2.7V∼3.1V。
◆存取間隔速度：70nS。
◆工作溫度范疇：攝氏-40∼85 度。
◆100%回溯兼容于 SRAM 接口。
◆支持分頁（Page）模式。